LED照明燈具（燈飾）從生產(chǎn)角度看，硅襯底大尺寸可借用人類經(jīng)過多年技術(shù)積累發(fā)展出來的硅集成電路生產(chǎn)工藝來制作LED，從而大幅度提高自動(dòng)化程度，同時(shí)由于最大限度的降低了人員的參與，芯片的可靠性、一致性和良率都會(huì)大幅度提高，還可以降低人工成本，降低LED綜合成本20-30%，這對(duì)于整個(gè)LED產(chǎn)業(yè)來說是一個(gè)革命性的顛覆。
此外，LED芯片硅襯底上氮化鎵功率器件也是很重要的一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域，有望超越傳統(tǒng)的功率器件開拓出一個(gè)新的應(yīng)用領(lǐng)域。以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體一個(gè)主要特點(diǎn)就是禁帶寬度寬。這個(gè)特點(diǎn)使得其制作的器件具有擊穿電壓高、電流密度大、工作溫度高等優(yōu)點(diǎn)，因此在大功率、高溫電力電子器件應(yīng)用方面性能遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)的硅和砷化鎵基電子器件。其應(yīng)用范圍將涵括電腦，手機(jī)，數(shù)碼相機(jī)，電源，電機(jī)，UPS，電動(dòng)汽車，基站，電廠等。LED芯片采用硅來作為氮化鎵電子器件的襯底已經(jīng)是國(guó)際共識(shí)，主要是由于硅具有其他襯底材料無可比擬的成本優(yōu)勢(shì)。
LED照明燈具（燈飾）LED芯片說起硅襯底的未來，陳振博士談到：“希望通過導(dǎo)入硅襯底，從本質(zhì)上改變LED照明燈具（燈飾）行業(yè)的技術(shù)，使得GaNLED從一個(gè)半自動(dòng)化的、人力密集型的產(chǎn)業(yè)升級(jí)成為和現(xiàn)代集成電路工藝相當(dāng)?shù)母咦詣?dòng)化、高精度的半導(dǎo)體行業(yè)。希望新技術(shù)同時(shí)帶來低成本和高控制精度，最終形成一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的制造業(yè)。
