圖形化襯底(定向、納米)和半極性、非極性襯底方面，通過(guò)改進(jìn)工藝、簡(jiǎn)化流程、節(jié)省原料、降低成本等取得了很好的成果；同質(zhì)外延方面，可采用多種方法生產(chǎn)GaN襯底，并在GaN襯底上生長(zhǎng)GaN的LED，極大減少了MO源和高純氣體用量，有人預(yù)測(cè)可降低成本50%。
     在8英寸的Si襯底上生長(zhǎng)GaN，全球有多家公司已投入研發(fā)，由于可用現(xiàn)有多余的生產(chǎn)設(shè)備、簡(jiǎn)化工藝流程，將大幅度降低成本。同時(shí)，Aixtron推出以Si為襯底的外延爐，可嚴(yán)格控制彎曲度，均勻一致生產(chǎn)。這無(wú)疑將推動(dòng)在8英寸的Si襯底上生長(zhǎng)外延的進(jìn)程，并可大幅度降低成本。
     日本礙子公司的新外延技術(shù)由于大量減少位錯(cuò)密度，極大提高了LED性能指標(biāo)，取得了突破性進(jìn)展。
     在芯片結(jié)構(gòu)方面，已出現(xiàn)多種新結(jié)構(gòu)，較典型的是六面體發(fā)光芯片，并采用多面表面粗化技術(shù)，減少界面反射，提高光萃取率，從而提高外量子效率。三星公司采用納米級(jí)的六角棱錐結(jié)構(gòu)技術(shù)做出的LED，可實(shí)現(xiàn)半極性、非極性生長(zhǎng)GaN，散熱好、晶體質(zhì)量好，實(shí)現(xiàn)了多色光的白光LED，取得突破性進(jìn)展。
     據(jù)有關(guān)報(bào)道，綜合來(lái)看，許多外延、芯片的重大技術(shù)創(chuàng)新，大部分是針對(duì)提高性能和降低成本的關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題，所以有機(jī)構(gòu)專家分析預(yù)測(cè)，未來(lái)10年外延成本將以每年25%的速率降低。
     綜上，由于GaN外延、芯片技術(shù)的不斷突破，采用不同襯底、新結(jié)構(gòu)和納米級(jí)技術(shù)等，可生長(zhǎng)低位錯(cuò)的GaN，并做出高光效LED。在沒(méi)有波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換時(shí)，其光效可超過(guò)300lm/W(理論值可達(dá)400lm/W)；采用熒光粉波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換時(shí)，光效可超過(guò)200lm/W(理論值可達(dá)263lm/W)，還可開(kāi)拓單芯片發(fā)多色的新技術(shù)路線。同時(shí)，采用新技術(shù)和大圓片技術(shù)生長(zhǎng)外延，可大幅度降低外延、芯片的制作成本。