鉬、鉬銅和鎢銅材料制成的晶圓襯底：
      若使LED燈具有耐用性，需配裝可靠的堅固部件。憑借我們的鉬、MoCu以及WCu晶片襯底，LED芯片的使用壽命可輕松達到10萬個小時。

LED芯片中的半導體層可將電流轉化為光。半導體層由電子區(qū)（N型摻雜）和空穴區(qū)（P型摻雜）組成。電流通過半導體層，電子與空穴結合，以光子形式發(fā)出光。剩余能量以熱輻射形式釋放，溫度可達85℃。
    未來的LED亮度更高，工作溫度隨之也會上升。上海瑞鉬特針對不同的需求采用不同材料，為客戶提供最佳的散熱解決方案。例如基于藍寶石或硅基襯底的LED垂直結構芯片，我們供應純鉬襯底；又如我們專門為藍寶石襯底的垂直結構芯片而研發(fā)的鉬銅以及鎢銅復合材料。
      垂直LED工藝中，金屬襯底與LED芯片的半導體層鍵合，溫度可達800 ℃。上海瑞鉬特研究出鉬銅復合材料，能夠應對鍵合工藝的高溫以及LED對散熱的長期需求。這種材料有與Al2O3具有相同的熱膨脹系數(shù)。Al2O3是LED芯片中藍寶石襯底和陶瓷基座的成分，正因為金屬襯底，藍寶石襯底以及陶瓷底板三者的熱膨脹性一致，從而避免了半導體層和鍵合層出現(xiàn)應熱應力釋放不均而導致的缺陷。為LED芯片定制的鉬銅材料 ，其熱導率(TC)為170 W/mK（20℃ 時），鎢銅材料，其熱導率(TC)為190 W/mK（20℃ 時），高于純鉬的材料142W/mK。好處是為藍寶石基板LED芯片提供更好的散熱性。
      可供應的鉬和鉬銅晶圓襯底的最小厚度為0.05mm，最小直徑為2in。我們甚至能夠供應直徑達 4英寸或更大的晶圓襯底。晶片襯底的粗糙度和平整度對與半導體層的鍵合制程產(chǎn)生決定性影響。我們提供適用于不同工藝的表面處理，請與我們聯(lián)系。
      如您需要，我們制造的鉬、鉬銅以及鎢銅晶圓襯底可以鍍膜。例如，我們的鎳-金鍍層具有抗氧化性，并可防止襯底受到腐蝕。此外，我們的鎳-金層是反射層和熱沉片的焊接或鍵合界面。