基于Micro LED的顯示面板

蘋果的高科技專利描述了發(fā)光結(jié)構(gòu)和形成發(fā)光結(jié)構(gòu)的方法。在一個(gè)實(shí)施方案中，形成發(fā)光結(jié)構(gòu)的方法包括在一個(gè)或多個(gè)相應(yīng)的臨時(shí)基板上形成一個(gè)或多個(gè)LED試片，將一個(gè)或多個(gè)LED試片轉(zhuǎn)移到一個(gè)載體基板上，將一個(gè)或多個(gè)LED試片圖案化為L(zhǎng)ED臺(tái)面結(jié)構(gòu)，并將LED臺(tái)面結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到一個(gè)顯示基板上。

在一些實(shí)施方案中，在轉(zhuǎn)移到顯示基板之前，還可以在LED面層結(jié)構(gòu)周圍形成井狀結(jié)構(gòu)。此外，還可以利用混合接合將其接合至顯示基板上。根據(jù)實(shí)施方案的處理順序可用于形成單色和全色顯示器。

在一個(gè)實(shí)施方案中，發(fā)光結(jié)構(gòu)包括一個(gè)接合在基板的LED，如互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）基板電極墊上的LED。該LED可以包括一個(gè)基于無(wú)機(jī)半導(dǎo)體的p-n二極管，以及一個(gè)接合在電極墊上的金屬底層觸點(diǎn)。另外，絕緣填充層可以橫向地位于LED和金屬底部接觸周圍。

在一個(gè)實(shí)施方案中，金屬底部接觸的平面底面以金屬-金屬鍵與電極墊的平面頂面接合，而絕緣填充層的平面底面以氧化鍵與基板的平面頂面結(jié)合。此外，LED可以被安裝在嵌入絕緣填充層的井狀結(jié)構(gòu)內(nèi)。

在一個(gè)實(shí)施方案中，一個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)包括一個(gè)第一無(wú)機(jī)半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的p-n二極管，被設(shè)計(jì)成發(fā)出第一種顏色，以及一個(gè)與第一電極墊結(jié)合的第一金屬底部觸點(diǎn)。發(fā)光結(jié)構(gòu)還可以包括一個(gè)第二LED（以及更多），包括一個(gè)第二無(wú)機(jī)半導(dǎo)體基p-n二極管，旨在發(fā)出與第一顏色不同的第二顏色，以及一個(gè)與第二電極墊結(jié)合的第二金屬底部觸點(diǎn)。

在一些實(shí)施方案中，第一金屬底面觸點(diǎn)比第二金屬底面觸點(diǎn)更厚，第二無(wú)機(jī)半導(dǎo)體基p-n二極管也比第一無(wú)機(jī)半導(dǎo)體基p-n二極管更厚。

在一些實(shí)施方案中，第一和第二金屬底部觸點(diǎn)的底面是共面的。此外，LED可以安裝在嵌入絕緣填充層的相應(yīng)井狀結(jié)構(gòu)內(nèi)。

根據(jù)一些實(shí)施方案，處理順序可以有助于將LED集成縮放到小的微型尺寸，并在LED周圍和上方集成光學(xué)結(jié)構(gòu)，減輕對(duì)準(zhǔn)的挑戰(zhàn)。此外，反射井結(jié)構(gòu)和微光學(xué)元件的整合還可以提高同軸光提取效率。

圖源：patentlyapple

蘋果公司的專利圖1A包括形成發(fā)光結(jié)構(gòu)方法的工藝流程和相應(yīng)的截面?zhèn)纫晥D圖示；圖1B包括形成單色發(fā)光結(jié)構(gòu)方法的工藝流程；圖7是一對(duì)安裝在顯示基板的反射井結(jié)構(gòu)內(nèi)的LED的示意性截面?zhèn)纫晥D圖示。

蘋果公司的專利圖3A包括一個(gè)工藝流程和相應(yīng)的橫截面?zhèn)纫晥D說(shuō)明，該方法是在載體基板上從LED試片上圖案化一對(duì)LED臺(tái)面結(jié)構(gòu)；圖3B包括一個(gè)工藝流程和相應(yīng)的橫截面?zhèn)纫晥D說(shuō)明，該方法是在顯示基板上集成一對(duì)LED臺(tái)面結(jié)構(gòu)。

圖源：patentlyapple

蘋果公司的專利圖12A是一個(gè)透明的半球狀高折射率透鏡在LED上的示意性截面?zhèn)纫晥D；圖12B是一個(gè)透明的錐狀高折射率透鏡在LED上的示意性截面?zhèn)纫晥D。

想要了解更多專利細(xì)節(jié)，請(qǐng)查閱蘋果公司的專利申請(qǐng)# US 20230018406 A1。

專利鏈接：

https://image-ppubs.uspto.gov/dirsearchpublic/print/downloadPdf/20230018406

（來(lái)源：VR陀螺）