華為：申請Micro LED顯示面板專利，可增大發(fā)光區(qū)面積提升光效
據(jù)國家知識產(chǎn)權局公告，華為技術有限公司申請一項名為“一種Micro LED顯示面板、顯示設備及制造方法“，公開號：CN117690946A，申請日期為2022年9月。該方案可以增大發(fā)光區(qū)面積，提升光效。不需要巨量轉(zhuǎn)移，提高合格率。防止光串擾，利于電流分布均勻。
圖片來源：國家知識產(chǎn)權局
具體專利摘要內(nèi)容如下：本申請公開了一種Micro LED顯示面板、顯示設備及制造方法，包括多個顯示結(jié)構，每個顯示結(jié)構包括：第一電極、第二電極、第一半導體層、第二半導體層和發(fā)光層；相鄰的顯示結(jié)構的第一電極、第一半導體層和發(fā)光層相互獨立；第一半導體層和第二半導體層分別位于發(fā)光層的兩側(cè)表面；第一電極位于第一半導體層背離發(fā)光層的一側(cè)，第二電極位于第二半導體層背離發(fā)光層的一側(cè)；每個顯示結(jié)構的發(fā)光層對應一個像素區(qū)；第二電極圍繞每個像素區(qū)走線，第二電極為各個像素區(qū)的公共電極，且為相鄰像素區(qū)之間的金屬擋墻。
長虹電子：公布兩項Micro LED發(fā)明專利
3月12日，長虹電子與啟�？丝萍脊剂�“Micro LED表面結(jié)構及制備方法”的發(fā)明專利，申請公布號： CN117693216A 。
圖片來源：國家知識產(chǎn)權局
為了提高量子點光提取效率及準直效果，該專利提供了Micro LED表面結(jié)構及制備方法，通過在Micro LED芯片表面構造金屬納米環(huán)結(jié)構，當納米環(huán)結(jié)構參數(shù)與中心量子點光波長相匹配時，會產(chǎn)生強烈的準直效應，可實現(xiàn)發(fā)出光線的定向準直功能；底部金屬反射器收集量子點光源向下發(fā)出的光線，并反射至芯片發(fā)光方向，增加了發(fā)光方向的光子數(shù)，從而大大增加了量子點Micro LED芯片在垂直方向上的光提取效率。
另外，3月15日，長虹電子與啟睿克科技共同公開了一項發(fā)明專利，名為“一種基于Micro LED的屏幕指紋識別裝置和方法”，申請公布號：CN117711037A。
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為了解決目前的Micro LED的屏幕指紋識別需要設置額外的傳感器，產(chǎn)生額外的光口比的問題，以及需要用戶觸摸指定的區(qū)域進行解鎖，操作不簡便的問題；
該專利發(fā)明提供一種基于Micro LED屏幕的指紋識別裝置，當需要指紋識別功能時，觸摸感應模塊確認手指的按壓位置，手指下方的第一LED芯片用作指紋識別的光源，與第二LED芯片連接的像素驅(qū)動電路測量第一LED芯片發(fā)射的光線經(jīng)過指紋凸起和凹陷處的反射光在第二LED芯片上產(chǎn)生的光電流的電壓差，確定指紋的形狀；指紋識別功能完成，Micro LED屏幕恢復正常顯示狀態(tài)。
康佳：Micro LED保護膜、結(jié)構、顯示裝置及電子設備
3月12日，深圳康佳電子科技有限公司“Micro LED保護膜、Micro LED結(jié)構、顯示裝置及電子設備”的發(fā)明專利進入授權階段。
該發(fā)明專利利用半透膜邊緣的吸光材料吸收大角度的光線，有效改善了拼接縫亮線問題。
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具體專利摘要內(nèi)容如下：本發(fā)明公開了一種Micro LED保護膜、Micro LED結(jié)構、顯示裝置及電子設備，Micro LED保護膜包括吸光材料以及單層半透膜或復合層半透膜，單層半透膜的邊緣包圍有吸光材料，復合層半透膜包括由內(nèi)而外依次疊置的多層折射率相同或不同的半透膜，復合層半透膜的邊緣包圍有吸光材料。
兆馳半導體：一種Micro LED巨量轉(zhuǎn)移方法
3月15日，兆馳半導體的發(fā)明專利“一種Micro LED巨量轉(zhuǎn)移方法”公布，申請公布號CN117712241A。該技術無需高精度設計，可根據(jù)芯片的不同高度進行黏附轉(zhuǎn)移，且能提高轉(zhuǎn)移速率，并保證轉(zhuǎn)移的高良率。
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具體專利摘要內(nèi)容如下：本發(fā)明提供一種Micro LED巨量轉(zhuǎn)移方法，包括以下步驟：提供一襯底，并在襯底上制備芯片；提供一基板，并在基板一面設置鍵合膜；將基板與襯底進行臨時鍵合；對芯片進行襯底剝離；在芯片遠離基板的一側(cè)設置柱體；提供一轉(zhuǎn)移頭，將轉(zhuǎn)移頭的第三粘合部貼合柱體，以基于各柱體的高度差，同時將多個第一芯片或第二芯片或第三芯片從基板轉(zhuǎn)移至電路板。通過采用光固化樹脂，選擇性固化出不同高度的芯片底座，并基于UV解粘膠的光照降低芯片與基板之間的粘性，最后基于高粘度的轉(zhuǎn)移頭對芯片進行批量轉(zhuǎn)移。
廈門大學：提升Micro LED光提取效率
3月15日，廈門大學公布了一項發(fā)明專利，名為“一種提升光提取效率的Micro LED器件結(jié)構及制作方法”。申請公布號：CN117712263A。該發(fā)明通過減小電流密度差異，提高電子在材料中的遷移率，以改善電流在器件中的分布，降低電流密度，并減緩電流擁擠效應。從而大幅度提升器件性能。
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具體來看，該發(fā)明公開了一種提升光提取效率的Micro LED器件結(jié)構及制作方法，其結(jié)構的外延層由背面至正面按序包括n-GaN層、MQW和p-GaN層，并通過由正面蝕刻至n-GaN層形成發(fā)光臺面，第一電流擴展層設于發(fā)光臺面的p-GaN層上，p電極和n電極分別設于第一電流擴展層和n-GaN層上，鈍化層、反射層和絕緣層按序覆蓋器件結(jié)構的正面，p電極和n電極分別通過貫穿鈍化層、反射層和絕緣層的鍵合金屬引出；n-GaN層在發(fā)光臺面區(qū)域通過蝕刻形成若干通孔，第二電流擴展層填充于通孔中。
