由于LED照明爆發(fā)性的增長需求，直接帶動MOCVD需求量的增加。
根據對全球主要MOCVD供應商的出貨量和我國近年新安裝MOCVD的數量對比，可以看出，近年來我國半導體照明產業(yè)對MOCVD的需求量一直占全球需求量的60%以上，是全球需求量最高的地區(qū)。筆者預計，2014年我國新增MOCVD數量將在150臺左右，總數將達到1240臺。到2015年LED照明市場滲透率將從目前的不足9%迅速上升到30%。
然而，中國MOCVD設備市場的火熱，也預示著其中競爭程度也在暗中生長。
來自德國愛思強股份有限公司的總裁兼CEO Martin Goetzeler先生表示：“我們會全力支持中國市場客戶，相信會有更好的未來。非常榮幸的邀請到我們的客戶和伙伴來現場講解和分享應用經驗。我們希望我們在LED大規(guī)模制造環(huán)境下的革命性產品能更好的服務于客戶更好的大規(guī)模生產。”
隨后，德國愛思強股份有限公司首席技術官Andreas Toennis先生緊接著對AIXTRON面對激烈競爭的LED大規(guī)模制造環(huán)境下的革命性產品進行了詳細介紹。
AndreasToennis先生表示，LED芯片和封裝市場經歷了多年的供給過剩，同時，LED中短波用戶認識到了LED在普通照明方面的潛力，推動LED照明產品的加速采用。每流明成本的降低還是LED滲透率最重要的推動力。最新的市場報告顯示在2015年和2016年LED芯片共計缺口還在增加。在激烈競爭的LED大規(guī)模生產市場，生產商需要在降低成本并提高LED的性能，同時滿足整個市場產能方面的需求。
“因為外延薄膜的生長代表了芯片制造過程中最關鍵的技術，MOCVD大規(guī)模生產設備的性能具有戰(zhàn)略性的重要性。產能、良率和擁有成本CoO是在競爭中勝出的關鍵因素。AIXTRON愛思強MOCVD技術研發(fā)路線圖反映了這些市場需求的重要性。在和客戶緊密合作的條件下，AIXTRON定義了能夠讓MOCVD用戶來成功塑造將來市場的各關鍵因素。在本次報告中，AIXTRON愛思強首席技術官還詳細介紹改善生產經濟效益和確保AIXTRON愛思強客戶更大的成功的快速而有效的路徑。”Andreas Toennis先生表示。
隨后，來自廣東德豪潤達電氣股份有限公司執(zhí)行副總裁兼芯片事業(yè)部總經理武良文博士作了題為“基于CRIUS II-XL平臺的4英寸大規(guī)模生產技術”的專題報告。該報告首先對LED照明市場及發(fā)展趨勢進行簡單介紹。武良文表示，目前在大規(guī)模生產情況下如何降低單位流明的成本是贏得市場競爭的關鍵，預計2015年的新增產能也將以四寸為主。同時，他隨后還詳細闡述了利用CRIUS？II-XL平臺進行4英寸大規(guī)模生產的技的優(yōu)勢，與在場的嘉賓及媒體朋友進行了深入交流。
緊接著，三安光電股份有限公司總經理助理吳超瑜先生也對“基于AIXTRONG4-TM機臺的四元產品穩(wěn)定量產”進行了詳細闡述。
吳超瑜表示，“三安光電生產各種四元產品，其亮度在市場上極具競爭力。并且，運用G4TM生產的LED產品的光電性能和各種維護條件下的機臺重復性，并與其前一代產品G3進行對比，G4TM的維護周期短、系統(tǒng)恢復快等特點；4寸效益明顯，單片成本更優(yōu)。G4機臺可以實現超高亮度LED的穩(wěn)定量產。通過優(yōu)化結構和機臺氣流后，可以實現超高亮度的穩(wěn)定生產；適當調快生長速率后仍然保持良好性能；TM和bake爐的合理搭配可以提升機臺的穩(wěn)定性。”
同時，Laytec AG市場銷售總監(jiān)Tom Thieme先生以題為“通過原位監(jiān)測技術降低生產成本”的技術報告也引起現場嘉賓的極大關注。Tom Thieme表示，“由于對波長均勻性和產品結果重復性更嚴格的控制要求，基于氮化鎵的器件結構，例如，高亮度發(fā)光二極管和紫外發(fā)光二極管的金屬有機化學氣相沉積生產變得更加苛刻。為了滿足發(fā)光二極管在優(yōu)化產品良率及降低生產成本方面的目標，先進的原位測量和工藝控制降低了外延芯片的經營成本。我們會皆是緣為測量是如何通過更精密以及更可靠的工藝控制來實現改進改進發(fā)光二極管器件產品這一工業(yè)目標。”
Tom Thieme先生還表示，在與MOCVD設備制造商AIXTRON以及發(fā)光二極管眾多的制造商AIXTRON以及發(fā)光二極管眾多的制造商的攻防統(tǒng)合作下，一個獨一無二的模塊化的原位平臺被建立起來，來滿足客戶的需求。我們強烈關注的是使用已被證明的原位檢測系統(tǒng)的優(yōu)勢，例如，對外延層溫度，所有生長材料的反射率以及先進曲率的精確可靠的檢測，以及把這些已知的優(yōu)勢擴展到工藝控制環(huán)境中。同時，在這次研討會上，愛思強還展示了該工藝控制平臺是如何來顯著降低經營成本以及增加外延良率的。
據記者了解，目前在大功率應用方面，功率分布以及電子遷移方面，氮化鎵已經引起了人們的興趣。為了加強這些應用在市場中的位置以及使他們可以商業(yè)化，先決條件是高電子遷移率晶體管的低成本生產。降低器件成本的其中一個因素就是增大襯底尺寸時材料生長的均勻性和電性能的良率。此外，采用硅襯底來生長外延材料也能使這些器件的成本降低，因為硅襯底更加便宜，而且有較大的尺寸，還可以跟硅半導體的后段工藝線保持一致性。
為此，德國愛思強股份有限公司研發(fā)副總裁Michael Heuken教授也以“作為功率電子器件必備方案的行星式反應器MOCVD技術”報告壓軸出場，與在場各位嘉賓及企業(yè)代表共通過分享了行星反應器MOCVD技術給企業(yè)帶來的新視角。
Michael Heuken教授表示，為了滿足這些需求，我們創(chuàng)建了可以放8片6寸片子的AIXG5高溫行星式反應式設備。并且，為了評估該反應室的性能，我們建立了在高硅襯底上高電子遷移率晶體結構的基準。最終晶體管被生產出來，性能也被表征了。與此同時，目前我們我們得到了高擊穿電壓和高漏電流密度的晶體管，這些晶體管也顯示了非常好的價值性能，使大功率器件能量有很低的損失。我們依據在可以生長5片200毫米襯底的AIXG+行星式金屬有機化學氣相沉積反應室上的實驗結果解釋并討論額外的結果，以及一種更大尺寸襯底的轉移策略。
