（1）長壽命和高可靠性/ Long lifetime and high reliability

（2）高輸出光/ High radiant flux

（3）100%測(cè)試和分揀/ 100% testing and sorting

（4）高抗靜電能力/ High ESD withstand voltage

物理參數(shù)/Physical Characteristics：

（1）尺寸/Size 芯片尺寸/Chip Size：08mil×08mil（200μm×200μm）

芯片厚度/Chip Thickness：3.6mil（95±5μm）

電極尺寸/Electrode Size：正極(P)：82±2μm；負(fù)極(N)：72±2μm

（2）電極金屬/Electrode metal：鋁(AL)

（3）芯片結(jié)構(gòu)/Structure：InGaN MQW

（4）芯片包裝/Packaging：中等粘度藍(lán)膜/Blue tape medium tack

詳細(xì)資料請(qǐng)單擊：NSS-B0808A1 產(chǎn)品規(guī)格書.pdf