設(shè)為首頁  |    |  廣告服務(wù)  |  客服中心
當(dāng)前位置: 首頁 » 資訊 » 技術(shù)廣角 » 正文

氮化鎵和碳化硅功率半導(dǎo)體市場將在2021年突破10億美元大關(guān)

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2020-11-16  來源:Omdia  瀏覽次數(shù):1049
核心提示:根據(jù)Omdia的《2020年SiC和GaN功率半導(dǎo)體報告》,全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體的銷售收入,預(yù)計從2018年的5.71億美元增至2020年底的8.54億美元。預(yù)計未來十年,每年的市場收入以兩位數(shù)增長,到2029年將超過50億美元。

根據(jù)Omdia的《2020年SiC和GaN功率半導(dǎo)體報告》,全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體的銷售收入,預(yù)計從2018年的5.71億美元增至2020年底的8.54億美元。預(yù)計未來十年,每年的市場收入以兩位數(shù)增長,到2029年將超過50億美元。

 

這些長期市場預(yù)測的總金額比去年報告中的數(shù)字低約10億美元。這是因為自2018年以來,幾乎所有應(yīng)用的需求都有所放緩。此外,2019年的設(shè)備平均價格也下降了。注意:用于今年預(yù)測的設(shè)備預(yù)測量都是從2019年開始計算的,并沒有考慮到COVID-19大流行的影響。

 

GaN和SiC功率半導(dǎo)體全球市場收入預(yù)測(單位:百萬美元)

 

 

SiC肖特基二極管已經(jīng)上市十多年了,近年來出現(xiàn)了SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SiC MOSFETs)和結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFETs)。SiC功率模塊也越來越多,包括混合SiC模塊(這種模塊包含帶Si絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)的SiC二極管),以及包含SiC MOSFETs的完整SiC模塊(不論這種模塊是否帶有SiC二極管)。

 

SiC MOSFETs在制造商中很受歡迎,已經(jīng)有幾家公司提供了這種產(chǎn)品。有幾個因素導(dǎo)致2019年的平均價格下降,比如650伏、700伏和900伏SiC MOSFETs上市,其定價與硅超結(jié)MOSFETs競爭,又比如供應(yīng)商之間的競爭加劇。

 

“價格下降最終將刺激SiC MOSFET技術(shù)的更快采用。”Omdia功率半導(dǎo)體的高級首席分析師Richard Eden說,“相比之下,GaN功率晶體管和GaN系統(tǒng)集成電路最近才出現(xiàn)在市場上。GaN是一種寬禁帶材料,具有類似于SiC的性能優(yōu)勢,但其成本下降的潛力更大。這些價格和性能上的優(yōu)勢是有可能的,因為GaN功率器件可以在硅或藍(lán)寶石襯底上發(fā)展,而硅襯底和藍(lán)寶石襯底比SiC便宜。盡管GaN晶體管現(xiàn)在才上市,但Power Integrations、Texas Instruments和Navitas Semiconductor等公司GaN系統(tǒng)集成電路的銷售額預(yù)計將以更快的速度增長。”

 

SiC和GaN功率半導(dǎo)體市場趨勢

 

到2020年底,SiC MOSFETs預(yù)計將產(chǎn)生約3.2億美元的收入,與肖特基二極管的收入相當(dāng)。從2021年起,SiC MOSFETs將以略快的速度增長,成為最暢銷的分立SiC功率器件。同時,盡管SiC JFETs的可靠性、價格和性能都很好,但據(jù)預(yù)測,SiC JFETs的收入要比SiC MOSFETs少得多。

 

“終端用戶很喜歡常關(guān)型SiC MOSFETs,因此SiC JFET似乎可能仍然是專門的、利基產(chǎn)品。”Eden 說,“然而,盡管活躍的供應(yīng)商很少,但預(yù)計SiC JFET的銷售額將以驚人的速度增長。”

 

結(jié)合Si IGBT和SIC二極管的混合型SiC功率模塊在2019年的銷售額估計約為7200萬美元,全SiC功率模塊在2019年的銷售額估計約為5000萬美元。Omdia預(yù)計到2029年,全SiC功率模塊將實現(xiàn)超過8.5億美元的收入,因為它們將被優(yōu)先用于混合動力和電動汽車動力系統(tǒng)逆變器。相比之下,混合型SiC功率模塊將主要用于光伏(PV)逆變器、不間斷電源系統(tǒng)和其他工業(yè)應(yīng)用,帶來的增長速度要慢得多。

 

2019年以來發(fā)生了什么變化?

 

現(xiàn)在,SiC和GaN功率器件都有數(shù)萬億小時的器件現(xiàn)場經(jīng)驗。供應(yīng)商,甚至是新進(jìn)入市場的企業(yè),都在通過獲得JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證來證明這一點。SiC和GaN器件似乎不存在任何意外的可靠性問題;事實上,它們通常比硅器件更好。

 

SiC MOSFET和SiC JFET的工作電壓較低,如650V、800V和900V,使SiC在性能和價格上都能與Si超結(jié)MOSFET競爭。

 

內(nèi)含GaN晶體管和GaN系統(tǒng)集成電路的終端產(chǎn)品已投入批量生產(chǎn),特別是用于手機(jī)和筆記本電腦快速充電的USB C型電源適配器和充電器。此外,許多GaN器件正由晶圓代工服務(wù)提供商制造,在標(biāo)準(zhǔn)硅片上提供內(nèi)部GaN外延晶體生長,隨著產(chǎn)量的增加,產(chǎn)能可能無限擴(kuò)大。

 
關(guān)鍵詞: 氮化鎵 碳化硅
【免責(zé)聲明】本文僅代表作者個人觀點,與搜搜LED網(wǎng)無關(guān)。本網(wǎng)站對文中所包含內(nèi)容的真實性、準(zhǔn)確性或完整性不作任何保證或承諾,請讀者僅作參考,并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。所有投稿或約稿,一經(jīng)采用,即被視為完全授權(quán),本網(wǎng)有權(quán)在不通知作者的情形下,在本傳媒旗下平臺選擇調(diào)用。
【版權(quán)聲明】「搜搜LED」網(wǎng)所刊原創(chuàng)內(nèi)容之著作權(quán)屬于「搜搜LED」網(wǎng)站所有,包括在標(biāo)題后表明(本刊)字的均屬本刊原創(chuàng)并已刊登雜志的文章,本著信息共享與尊重原創(chuàng)作者的原則,轉(zhuǎn)載必須注明來源:搜搜LED網(wǎng)或《LED照明世界》或《LED屏顯世界》,如有發(fā)現(xiàn)在未注明來源的情況下復(fù)制、轉(zhuǎn)載或出版,將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
 
[ 資訊搜索 ]  [ ]  [ 告訴好友 ]  [ 打印本文 ]  [ 關(guān)閉窗口 ]

 
在線評論
 
推薦圖文
推薦資訊
點擊排行
最新資訊
LED網(wǎng) | 微峰會 | 案例欣賞 | 微信 | 關(guān)于我們 | 聯(lián)系方式 | 使用協(xié)議 | 版權(quán)隱私 | 北京InfoComm China 2024展會 | 網(wǎng)站地圖 | 排名推廣 | 廣告服務(wù) | 積分換禮 | 網(wǎng)站留言 | RSS訂閱 | 粵ICP備09180418號

©2014搜搜LED網(wǎng)版權(quán)所有  >

購物車(0)    站內(nèi)信(0)     新對話(0)
 
頂部微信二維碼微博二維碼
底部
掃描微信二維碼關(guān)注我為好友
掃描微博二維碼關(guān)注我為好友