1 月 27 日消息，原子能信息實(shí)驗(yàn)室近日發(fā)布預(yù)告，表示將出席1月31日開幕的2024年美國(guó)西部光電博覽會(huì)，發(fā)表兩篇關(guān)于其Micro LED技術(shù)進(jìn)展的論文，介紹如何制造數(shù)據(jù)速率密度更高的LED矩陣，以及如何減少小尺寸LED的效率損失。
在《使用CMOS兼容方法與InGaN / GaN微型LED進(jìn)行并行通信》論文中，原子能信息實(shí)驗(yàn)室將介紹如何直接在200毫米硅基板上制造LED，為生產(chǎn)由專用CMOS電路獨(dú)立控制、幾微米級(jí)別的LED矩陣鋪平了道路。
InGaN / GaN微型發(fā)光二極管因其堅(jiān)固耐用、大規(guī)模可用性和達(dá)到GHz級(jí)帶寬的能力，成為實(shí)現(xiàn)高數(shù)據(jù)速率光通信的有力候選器件。
LED 陣列使用InGaN / GaN微型發(fā)光二極管，可以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模并行傳輸，從而達(dá)到高數(shù)據(jù)速率密度。
原子能信息實(shí)驗(yàn)室還研發(fā)出一種將GaN LED矩陣集成到CMOS ASIC上的專利工藝，通過將微型LED直接粘接在200毫米硅晶片上，并使用氮化鎵基器件作為發(fā)射器和快速光電探測(cè)器，優(yōu)化了微型LED的集成度。
另一項(xiàng)論文名為《在藍(lán)寶石、獨(dú)立GaN和硅上，InGaN量子阱厚度對(duì)其載流擴(kuò)散長(zhǎng)度的影響》。
該機(jī)構(gòu)表示：“我們通過實(shí)驗(yàn)證明，可以通過減少InGaN量子阱的厚度來減少擴(kuò)散長(zhǎng)度。此外，我們還展示了在大型量子阱中觀察到的與功率相關(guān)的、意想不到的擴(kuò)散行為，這可能有助于我們理解發(fā)射器的物理學(xué)原理。”
