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Sundiode與Soft-Epi開發(fā)全I(xiàn)nGaN堆疊式RGB Micro LED

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2023-01-13  瀏覽次數(shù):1421
核心提示:近日,外媒報(bào)道,堆疊式RGB Micro LED微型顯示器開發(fā)商Sundiode宣布,與GaN技術(shù)開發(fā)商Soft-Epi共同實(shí)現(xiàn)在單個(gè)藍(lán)寶石晶圓上生長單片全I(xiàn)nGaN RGB LED結(jié)構(gòu)。
近日,外媒報(bào)道,堆疊式RGB Micro LED微型顯示器開發(fā)商Sundiode宣布,與GaN技術(shù)開發(fā)商Soft-Epi共同實(shí)現(xiàn)在單個(gè)藍(lán)寶石晶圓上生長單片全I(xiàn)nGaN RGB LED結(jié)構(gòu)。

資料顯示,Sundiode總部位于美國加州,致力于開發(fā)用于AR/MR等設(shè)備的Micro LED顯示技術(shù)。2021年4月,Sundiode公布其專有的堆疊式RGB Micro LED像素技術(shù)。與傳統(tǒng)Pick & Place工藝單獨(dú)轉(zhuǎn)移R/G/B三個(gè)像素方式不同,Sundiode的專有技術(shù),只需將單晶圓上的堆疊式RGB Micro LED像素陣列直接接合到硅基CMOS背板上。

據(jù)了解,Sundiode的外延技術(shù)使得開發(fā)多結(jié)(Multiple junctions)堆疊式RGB LED芯片成為了可能,芯片能夠獨(dú)立地發(fā)出RGB光色。采用這種芯片結(jié)構(gòu),制造商更易于生產(chǎn)出超高密度微型顯示器。

Sundiode表示,由于在晶圓上測試采用了快速檢查方法,單片RGB LED結(jié)構(gòu)可作為級聯(lián)多結(jié)LED(Cascade multi-junction LED)工作,檢測所發(fā)出的光線則證實(shí)級聯(lián)LED的正常運(yùn)作。

本次研發(fā)的合作方Soft-Epi來自韓國,作為一家GaN技術(shù)開發(fā)商,已在2021年成功開發(fā)基于GaN的紅、藍(lán)、綠光LED。而在去年,Soft-Epi開發(fā)出號稱韓國首款的紅色GaN外延片,目前該產(chǎn)品已量產(chǎn)出貨。
 
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