2024年5月7日消息，據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，華為技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“發(fā)光芯片及其制備方法、顯示模組、電子設(shè)備“，公開(kāi)號(hào)CN117995965A，申請(qǐng)日期為2022年10月。
專(zhuān)利摘要顯示，本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種發(fā)光芯片及其制備方法、顯示模組、電子設(shè)備，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，用于提高小尺寸Micro LED的發(fā)光效率。發(fā)光芯片包括：層疊設(shè)置的第一電極、第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、第二半導(dǎo)體層以及第二電極。其中，第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層中一個(gè)為N型半導(dǎo)體層，另一個(gè)為P型半導(dǎo)體層。第一電極的至少部分邊緣相比于第一半導(dǎo)體層的邊緣內(nèi)縮。
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