由臺灣中央大學光電系陳升暉教授帶領(lǐng)的萌芽新創(chuàng)團隊Microluce近期發(fā)表Micro LED磊晶技術(shù)，透過高能物理在低溫狀態(tài)下即可長出高品質(zhì)氮化鎵薄膜，完全拋棄主流的巨量轉(zhuǎn)移制程，成本僅是現(xiàn)有微發(fā)光二極體顯示器的十分之一，具有量產(chǎn)潛力，相關(guān)技術(shù)已獲得了臺灣及美國專利。
巨量轉(zhuǎn)移是現(xiàn)今Micro LED顯示器最重要的步驟，已發(fā)展近十年，但該團隊認為巨量轉(zhuǎn)移是錯誤方向，主要因現(xiàn)今的LED晶粒須覆晶制程及結(jié)構(gòu)弱化等程序，藍綠光材料是氮化鎵，紅光材料是砷化鎵，兩種材料的驅(qū)動電壓不同，驅(qū)動電路將造成困難，尤其成本考量上，壞點修復問題不易克服，因此難以量產(chǎn)。
該團隊透過高能物理的方式，突破以往一千度以上的高溫限制，在低溫狀態(tài)下即可長出高品質(zhì)的氮化鎵薄膜，溫度可控制在500至700度左右；面版尺寸可從2英吋至12英吋，可隨著制程設(shè)備等比例放大，并結(jié)合大數(shù)據(jù)分析，找出最佳磊晶模式。
現(xiàn)今巨量轉(zhuǎn)移2K畫素的MicroLED面板成本高于33萬臺幣，該團隊自主開發(fā)的磊晶板，搭配奈米材料技術(shù)可達到全彩化的微發(fā)光二極體顯示效果，一片面板的成本僅現(xiàn)有的十分之一，深具量產(chǎn)潛力。（來源：中時電子報）
