LED芯片分為四種：MB、GB、TS、AS芯片
一，MB芯片
定義：MB 芯片﹕Metal Bonding (金屬粘著）芯片﹔該芯片屬于UEC 的專利產品
特點：
1、 采用高散熱系數(shù)的材料---Si 作為襯底﹐散熱容易.
1、 采用高散熱系數(shù)的材料---Si 作為襯底﹐散熱容易.
Thermal Conductivity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K
2、通過金屬層來接合(wafer bonding)磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收.
3、導電的Si 襯底取代GaAs 襯底，具備良好的熱傳導能力(導熱系數(shù)相差3~4 倍)，更適應于高驅動電流領域。4、底部金屬反射層﹐有利于光度的提升及散熱
5、尺寸可加大﹐應用于High power 領域﹐eg : 42mil MB
二，GB芯片
定義：GB 芯片﹕Glue Bonding (粘著結合）芯片﹔該芯片屬于UEC 的專利產品
特點：
1﹕透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統(tǒng)AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底.
1﹕透明的藍寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統(tǒng)AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐藍寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底.
2﹕芯片四面發(fā)光﹐具有出色的Pattern。
3﹕亮度方面﹐其整體亮度已超過TS芯片的水平(8.6mil)
4﹕雙電極結構﹐其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片。
三、TS芯片
三、TS芯片
定義：TS 芯片﹕ transparent structure(透明襯底)芯片﹐該芯片屬于HP 的專利產品。
特點：1.芯片工藝制作復雜﹐遠高于AS LED
2. 信賴性卓越
3.透明的GaP襯底﹐不吸收光﹐亮度高
4.應用廣泛
四、AS 芯片
定義﹕Absorbable structure (吸收襯底）芯片﹔經過近四十年的發(fā)展努力﹐臺灣LED光電業(yè)界對于該類型芯片的研發(fā)﹑生產﹑銷售處于成熟的階段﹐各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水平﹐差距不大. 大陸芯片制造業(yè)起步較晚﹐其亮度及可靠度與臺灣業(yè)界還有一定的差距﹐在這里我們所談的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
定義﹕Absorbable structure (吸收襯底）芯片﹔經過近四十年的發(fā)展努力﹐臺灣LED光電業(yè)界對于該類型芯片的研發(fā)﹑生產﹑銷售處于成熟的階段﹐各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水平﹐差距不大. 大陸芯片制造業(yè)起步較晚﹐其亮度及可靠度與臺灣業(yè)界還有一定的差距﹐在這里我們所談的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
特點： 1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工藝制備﹐亮度相對于常規(guī)芯片要亮
2. 信賴性優(yōu)良
3. 應用廣泛
芯片種類
1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2、VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs
3、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN
4、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結構)GaAlAs/GaAs
5、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (雙異型結構) GaAlAs/GaAs
6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (雙異型結構) GaAlAs/GaAlAs
