LED的重要參數(shù)
1、正向工作電流If
它是指發(fā)光二極體正常發(fā)光時(shí)的正向電流值。在實(shí)際使用中應(yīng)根據(jù)需要選擇IF在0.6·IFm以下。
2、正向工作電壓VF
參數(shù)表中給出的工作電壓是在給定的正向電流下得到的。一般是在IF=20mA時(shí)測(cè)得的。發(fā)光二極體正向工作電壓VF在1.4～3V。在外界溫度升高時(shí)，VF將下降。
3、V-I特性
發(fā)光二極體的電壓與電流的關(guān)系，在正向電壓正小于某一值(叫閾值)時(shí)，電流極小，不發(fā)光。當(dāng)電壓超過某一值后，正向電流隨電壓迅速增加，發(fā)光。
4、發(fā)光強(qiáng)度IV
發(fā)光二極體的發(fā)光強(qiáng)度通常是指法線(對(duì)圓柱形發(fā)光管是指其軸線)方向上的發(fā)光強(qiáng)度。若在該方向上輻射強(qiáng)度為(1/683)W/sr時(shí)，則發(fā)光1坎德拉(符號(hào)為cd)。由于一般LED的發(fā)光二極管強(qiáng)度小，所以發(fā)光強(qiáng)度常用燭光(坎德拉, mcd)作單位。
5、LED的發(fā)光角度-90°- +90°
6、光譜半寬度Δλ它表示發(fā)光管的光譜純度。
7、半值角θ1/2和視角 θ1/2是指發(fā)光強(qiáng)度值為軸向強(qiáng)度值一半的方向與發(fā)光軸向(法向)的夾角。
8、全形
根據(jù)LED發(fā)光立體角換算出的角度，也叫平面角。
9、視角
指LED發(fā)光的最大角度，根據(jù)視角不同，應(yīng)用也不同，也叫光強(qiáng)角。
10、半形
法向0°與最大發(fā)光強(qiáng)度值/2之間的夾角。嚴(yán)格上來說，是最大發(fā)光強(qiáng)度值與最大發(fā)光強(qiáng)度值/2所對(duì)應(yīng)的夾角。LED的封裝技術(shù)導(dǎo)致最大發(fā)光角度并不是法向0°的光強(qiáng)值，引入偏差角，指得是最大發(fā)光強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的角度與法向0°之間的夾角。
11、最大正向直流電流IFm
允許加的最大的正向直流電流。超過此值可損壞二極體。
12、最大反向電壓VRm
所允許加的最大反向電壓即擊穿電壓。超過此值，發(fā)光二極體可能被擊穿損壞。
13、工作環(huán)境topm
發(fā)光二極體可正常工作的環(huán)境溫度范圍。低于或高于此溫度范圍，發(fā)光二極體將不能正常工作，效率大大降低。
14、允許功耗Pm
允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的最大值。超過此值，LED發(fā)熱、損壞。
芯片尺寸
大功率LED芯片有尺寸為38*38mil，40*40mil，45*45mil等三種當(dāng)然芯片尺寸是可以訂制的，這只是一般常見的規(guī)格。mil是尺寸單位，一個(gè)mil是千分之一英寸。40mil差不多是1毫米。38mil，40mil，45mil都是1W大功率芯片的常用尺寸規(guī)格。理論上來說，芯片越大，能承受的電流及功率就越大。不過芯片材質(zhì)及制程也是影響芯片功率大小的主要因素。例如CREE 40mil的芯片能承受1W到3W的功率，其他廠牌同樣大小的芯片，最多能承受到2W。
發(fā)光亮度
一般亮度：R(紅色GaAsP 655nm)、H ( 高紅GaP 697nm )、G ( 綠色GaP 565nm )、Y ( 黃色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等；
高亮度：VG (較亮綠色GaP 565nm )、VY(較亮黃色 GaAsP/ GaP 585nm )、SR( 較亮紅色GaAlAS 660nm )；
超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。
二元晶片(磷﹑鎵)：H﹑G等；
三元晶片(磷﹑鎵 ﹑砷)：SR(較亮紅色GaAlAS 660nm)、 HR (超亮紅色GaAlAs 660nm)、UR(最亮紅色GaAlAs 660nm)等；
四元晶片(磷﹑鋁﹑鎵﹑銦)：SRF( 較亮紅色 AlGalnP )、HRF(超亮紅色 AlGalnP)、URF(最亮紅色 AlGalnP 630nm)、VY(較亮黃色GaAsP/GaP 585nm)、HY(超亮黃色 AlGalnP 595nm)、UY(最亮黃色 AlGalnP 595nm)、UYS(最亮黃色 AlGalnP 587nm)、UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)、HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、UG (最亮綠色 AIGalnP 574nm) LED等。
襯底
對(duì)于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進(jìn)行選擇。三種襯底材料：藍(lán)寶石（Al2O3）、硅（Si）、碳化硅（SiC）。
藍(lán)寶石的優(yōu)點(diǎn)：1.生產(chǎn)技術(shù)成熟、器件質(zhì)量較好 ;2.穩(wěn)定性很好，能夠運(yùn)用在高溫生長過程中; 3.機(jī)械強(qiáng)度高，易于處理和清洗。
藍(lán)寶石的不足：1.晶格失配和熱應(yīng)力失配，會(huì)在外延層中產(chǎn)生大量缺陷；2.藍(lán)寶石是一種絕緣體，在上表面制作兩個(gè)電極，造成了有效發(fā)光面積減少；3.增加了光刻、蝕刻工藝過程，制作成本高。硅是熱的良導(dǎo)體，所以器件的導(dǎo)熱性能可以明顯改善，從而延長了器件的壽命。
碳化硅襯底（CREE公司專門采用SiC材料作為襯底）的LED芯片，電極是L型電極，電流是縱向流動(dòng)的。采用這種襯底制作的器件的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能都非常好，有利于做成面積較大的大功率器件。優(yōu)點(diǎn)： 碳化硅的導(dǎo)熱系數(shù)為490W/m·K，要比藍(lán)寶石襯底高出10倍以上。不足：碳化硅制造成本較高，實(shí)現(xiàn)其商業(yè)化還需要降低相應(yīng)的成本。
LED特點(diǎn)
（1）四元芯片，采用MOVPE工藝制備，亮度相對(duì)于常規(guī)芯片要亮。
（2）信賴性優(yōu)良。
（3）應(yīng)用廣泛。
（4）安全性高。
（5）壽命長。
led芯片的價(jià)格：一般情況系下方片的價(jià)格要高于圓片的價(jià)格，大功率led芯片肯定要高于小功率led芯片，進(jìn)口的要高于國產(chǎn)的，進(jìn)口的來源價(jià)格從日本、美國、臺(tái)灣依次減低。
led芯片的質(zhì)量：評(píng)價(jià)led芯片的質(zhì)量主要從裸晶亮度、衰減度兩個(gè)主要標(biāo)準(zhǔn)來衡量，在封裝過程中主要從led芯片封裝的成品率來計(jì)算。
日常使用LED燈
紅燈：9mil正規(guī)方片，（純紅）波長：620-625nm，上下60°、左右120°，亮度高達(dá)1000-1200mcd；
綠燈：12mil正規(guī)方片，（純綠）波長：520-525nm，上下60°、左右120°，亮度高達(dá)2000-3000mcd；
性能：具有亮度高、抗靜電能力強(qiáng)、抗衰減能力強(qiáng)、一致性好等特點(diǎn)，是制作led招牌、led發(fā)光字的最佳選擇。
